供需缺口扩大，上调华邦电与南亚科评级
核心结论 利基型DRAM供给收缩速度快于需求放缓，推动2026年下半年DDR4供需缺口从14%扩大至19–20%，并持续保持18–20%的缺口直至2028年。我们将华邦电（2342.TW）和南亚科（2408.TW）上调至增持评级。此次评级调整基于对价格的向上修正——目前预计2026年第三季度DDR4价格将环比上涨20%——以及数据中心用SLC NAND和硅电容器（SiCap）这一被低估的增长引擎。华邦电2026/27/28年EPS预估分别上调23%/65%/94%；南亚科上调15%/29%/33%。同样的DDR4紧张格局亦推动兆易创新（603986.SS）2026/27年EPS分别提高58%/60%。
市场低估了什么 市场共识忽略了两大同时来袭的供给冲击。首先，美光将设备从台湾迁至美国，将在2–4个季度内压制利基型DRAM产出。其次，SK海力士正将无锡DDR4/LPDDR4产能转换为DDR5后端工艺，永久性削减旧制程供给。需求方面，来自eSSD控制器及数据中心算力的DDR4企业端需求正在增强，而非消退。这些动态使得2026年下半年及2027–28年的供需缺口远大于锚定当前华尔街预期的过往周期均值。此外，市场对SLC NAND在高速服务器存储中的新兴角色，以及SiCap作为存储厂商高利润率新收入来源，几乎未给予估值。
证据链
- 美光公开的设备迁移公告直接指向2–4个季度的利基型DRAM供给减少。
- 近期渠道调研确认SK海力士无锡厂产能再分配，进一步削减DDR4晶圆投片量。
- 更新后的供需模型量化了影响：2026年下半年供需缺口从此前预估的14%跃升至19–20%，2027–28年维持在18–20%。
- 随新型CPU服务器平台放量，企业级DDR4需求正在加速，强化议价能力：模型显示DDR4合约价格在2026年第三季度环比上涨20%。
- SLC NAND作为超大规模数据中心的分层存储解决方案正获得牵引力，大中华区厂商（兆易创新、华邦电、旺宏）有能力供货。
- SiCap作为一种用于高频电力输送的元件，正崛起为利基型存储公司的重要增长驱动力，具备估值重估潜力。
主要风险
- 若美光或海力士逆转设备调配，供给恢复可能快于模型假设。
- 若超大规模企业资本开支放缓或CPU服务器部署延迟，企业端需求可能不及预期。
- SLC NAND在数据中心的渗透速度可能慢于假设，从而限制重估催化剂。
- DRAM仍为周期性商品；任何低于环比20%涨幅的价格数据都将侵蚀EPS上调逻辑。
估值与交易含义 更宽的供需缺口和持续的DDR4价格强势将EPS显著推高至共识之上。将华邦电与南亚科上调至增持，反映了盈利上修轨迹，以及随着SLC NAND和SiCap可见度提升，市盈率倍数扩张的潜力。我们预计DDR4供不应求周期将持续至2028年，使得当前估值相对于历史周期中值倍数的折价不再合理。兆易创新同样受益，但仍是基于相同DDR4主题以及成熟制程晶圆代工短缺所导致的NOR闪存紧俏而布局。